要擦除STM32单片机内部的程序，通常需要以下步骤：
准备工具和设备
STM32单片机
ST-Link或J-Link等烧录器
示波器（可选，用于调试和测试）
解锁Flash
根据具体的单片机型号，可能需要执行特定的解锁命令来解除Flash的写保护状态。
擦除Flash
按扇区擦除：STM32 F407等型号的芯片是按扇区进行擦除的。可以设置擦除的起始地址和结束地址，然后执行擦除操作。
按页擦除：某些型号的STM32芯片（如F1系列）可能支持按页擦除。需要确定芯片的页大小，并设置相应的擦除范围。
写入数据
擦除完成后，可以将新的程序数据写入到Flash中。需要设置写入的起始地址和结束地址，并执行写入操作。
锁定Flash
完成擦写操作后，应重新锁定Flash，以防止意外擦除或写入。
示例代码（基于STM32 F407）
```c
include "stm32f4xx_hal.h"
define FLASH_PAGE_SIZE （（uint16_t）0x400）// 1KB
define WRITE_START_ADDR（（uint32_t）0x08008000） // 写入起始地址
define WRITE_END_ADDR （（uint32_t）0x0800C000） // 写入结束地址
void EraseFlash（uint32_t start_addr, uint32_t end_addr） {
uint32_t page_size = FLASH_PAGE_SIZE；
uint32_t page_count = （end_addr - start_addr） / page_size；
// 解锁Flash
FLASH->CR &= ~（FLASH_CR_LOCK）；
// 擦除指定范围内的Flash页
for （uint32_t i = 0； i < page_count； i++） {
FLASH->PRGADDR = start_addr + i * page_size；
FLASH->CR |= FLASH_CR_PGM；
while （FLASH->SR & FLASH_SR_PGMERR）； // 等待擦除完成
}
// 锁定Flash
FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK；
}
void WriteFlash（uint32_t addr, uint32_t data, uint32_t size） {
uint32_t *p_data = （uint32_t *）data；
uint32_t i；
// 解锁Flash
FLASH->CR &= ~（FLASH_CR_LOCK）；
// 写入数据
for （i = 0； i < size / 4； i++） {
FLASH->DR = p_data[i]；
while （FLASH->SR & FLASH_SR_DRST）； // 等待写入完成
}
// 锁定Flash
FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK；
}
int main（void） {
// 擦除Flash
EraseFlash（WRITE_START_ADDR, WRITE_END_ADDR）；
// 写入数据
uint32_t data[] = {0x3210ABCD}；
WriteFlash（WRITE_START_ADDR, data, sizeof（data））；
return 0；
}
```
建议
选择合适的工具：确保使用与目标STM32单片机型号兼容的烧录器和开发工具。
仔细阅读文档：不同型号的STM32单片机可能有不同的擦除和写入流程，务必参考相关芯片的数据手册和参考手册。
调试和测试：在擦除和写入过程中，使用示波器等工具进行调试和测试，确保操作正确无误。