在STM32F407中，Flash擦除的原理是将某个扇区的数据重置为0xFF。由于Flash的物理特性，写操作只能将位设置为0，而擦除操作将位恢复为1。每次擦除扇区时，整个扇区的数据都会被清空。以下是一些关于Flash擦除的建议和步骤：
解锁Flash控制寄存器：
在进行任何Flash操作之前，需要解锁Flash的写保护功能。
等待Flash空闲：
检查Flash状态寄存器，确保没有其他操作正在进行。
启动扇区擦除：
设置目标扇区并启动擦除命令。
等待擦除完成：
监控状态寄存器中的BSY位，等待擦除操作完成。
锁定Flash控制寄存器：
完成操作后，将Flash锁定，以防止误操作。
如果你在使用STM32F103VCT6或其他型号的STM32时遇到Flash擦除不成功的问题，可以尝试以下步骤：
调用库函数的擦除块指令：
例如，使用FLASH_ErasePage（）函数擦除一个页面，并检查返回值是否为FLASH_COMPLETE。
检查Flash状态寄存器：
确保没有其他操作正在进行，例如PGERR位表示要写入的位置的值不为0xFFFF。
设置Flash延迟：
在读写Flash之前，加上FLASH_SetLatency（FLASH_ACR_LATENCY_2）以设置适当的延迟。
确保正确解锁和锁定：
在擦除操作前后，确保正确解锁和锁定Flash控制寄存器。
如果你使用的是其他软件或工具进行Flash擦除，请确保按照相应工具的文档和指南进行操作。
建议
仔细阅读相关文档：确保你了解所使用的微控制器的Flash擦除机制和操作步骤。
使用调试工具：利用调试器（如JLink）来监控Flash状态，确保擦除操作成功执行。
检查电源和时钟：确保微控制器在稳定的电源和正确的时钟下运行，以避免由于低电压或其他外部因素导致擦除失败。
遵循最佳实践：在编写软件时，尽量避免在程序代码中直接进行Flash擦除或写入操作，以减少误操作的风险。